65W GAN PD 充电器

发布时间:

2023-06-16 07:57

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项⽬简介
本方案提供了一种基于GaN器件的65W充电器。控制器基于台湾虹冠电子的Dr.flvback,集成一个高端mos,用以实现主开关管的零电压开通,从而优化效率。同时基于GaN器件,拓宽了方案设计的开关频率,实现更高功率密度.
 
设计指标
输入电压 90Vac~264Vac
输出电压 5V/9V/2V/5V/20V
额定功率 65W
系统效率 50KHz~250KHz
系统效率 峰值93.8%

 

⽅案特点

· 控制策略优于传统QR与ACF,上下开关管均能实现ZVS,效率更高

· 控制IC内置高边MOS,控制电路简单,系统可靠性高,成本低;

· 调频&调宽模式,利于提高不同负载下系统效率;

· 控制IC带有抖频控制,有利于EMI设计;

 

主拓扑

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主要器件
 
器件功能 器件型号 器件品牌
输入保险丝 044303.5 力特
主开关管 DTA E601513SEO 台达
同步整流管 SRT1ONO47LD56TR-G 尚阳通
主控制器 Dr.flyback 虹冠
输出滤波电容 SVZTEM221E09EOORA 艾华

 

 效率数据表

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实测结果和⼯作波形

110V 满载 原边主管ZVS

 

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230V 满载原边主管ZVS

 

实测结果和⼯作波形

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测试条件:230VAC输入 20V/325A输出

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65W GaN PD 充电器

2023-06-16