单通道有源密勒钳位SiC MOS驱动核

发布时间:

2023-05-31 18:35

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项⽬简介
本产品为鹏源自研的针对第三代SiC器件设计的一款紧凑、低成本的单通道驱动核。驱动核中包含隔离DC/DC电源,满足加强绝缘要求。提供密勒钳位短路保护、欠压和过温保护。最大驱动电流6A,支持驱动功率1.5W,同时提供负压输出,提高驱动可靠性。
 
设计指标
Symbol Parameter Condition / Description Min. lxp. Max. Unit
VoD Input power supply voltage Voo~GND o   13.5 v
VN-M Logicsignalinputvoltage   o   6.5 v
RESET RESETsignal   o   6.5 v
lo Gate output peak current   -6   6 A
lFo FAULTinput current       1 mA
lbc verage input PS curent TA= 25℃     185 mA
fMAx) Max switchingfrequency Output pow <1.5w     300 kHz
CMTI ommon-Mode Transint lmmunity Inputto Output     100 Vns
Co Coupling capacitance Inputto Output   5.5   pE.
ci Input Capaditance     500   pF.
Viso lnsulation voltage Inputto output,AC50Hz,60s     3750 ms,
ToPR Operating temperature No condensation allowade -40   85 c
TsT Storagetemperature No condensation allowabe -55   125 c

 

⽅案特点

· 支持最高30OKHz开关频率;

· 集成DC/DC隔离电源,3750Vrms 隔离电压,满足加强绝缘;

· +/-6A 驱动电流;

· CMTI 高达100KV/uS;

· 有源密勒钳位;

· 欠压&过温保护,带软关断的短路保护功能;

 

主拓扑

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 实测结果和⼯作波形

 

picPower On:Vcc&驱动负压&5VLDO输出

picPower Off:Vcc&驱动负压&5VLDO输出

 

 

picUVLO test

 

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单通道有源密勒钳位SiC MOS驱动核

2023-06-08