IPOWERSIM


鹏源电子开发的iPowerSIM,WWW.IPOWERSIM.COM,是一个结合电力电子功率器件及应用,适用于传统硅材料、新型宽禁带碳化硅、氮化镓材料功率器件的电路、损耗、温度、效率等系统级免费在线式仿真网站。 iPowerSIM仿真网站应用范围宽广,几乎适合所有电力电子应用的仿真。

电路拓扑多样


从最简单的Buck、Boost基础电路,到电源流行的LLC谐振、Totem Pole PFC、新能源行业的三相逆变器、充电桩的维也纳PFC、电网应用的MMC等多达30多种流行应用电路都囊括其中。
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器件模型丰富


不论是传统的硅(Si)材料器件,例如IGBT、MOSFET、Diode等,还是新型宽禁带半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)的MOSFET、Diode、HEMT等器件,都可以轻易地在iPowerSIM仿真网站中找到最适合的器件或者相近的器件模型。
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应用领域广泛


涵盖最流行的拓扑和最先进器件的模型,从数十瓦的PD充电器、适配器、LED电源到矿机电源、服务器电源、充电桩模块、光伏逆变器、电动汽车三电,再到MW甚至GW级别的牵引机车、电网高压直流输电等,都可以在iPowerSIM上里找到最优的拓扑及合适的器件模型,快速地得到损耗、效率和温升等重要参数指标的仿真结果。 
iPowerSIM操作简单方便,无需下载安装,仅需完成注册即可在线进行仿真,仿真结果可以保存为PDF格式到个人电脑;iPowerSIM仿真速度极快,譬如Buck电路仿真仅需耗时十多秒,复杂的三电平、MMC拓扑仅需数十秒或数分钟;iPowerSIM仿真精度高,通过参考规格书指标、与器件制造商沟通以及使用实验方法实测器件动态特性等,鹏源的工程师不断地对器件及电路建模进行反复验证,让仿真结果接近实际设计,更具有参考意义。
在选择某一拓扑仿真时,可以同时选择5个型号的主要功率器件(例如MOSFET)进行同一条件下同时仿真,结果同时保存,这极大方便了工程师对不同规格的器件进行设计比较,或者不同厂家同一规格器件的设计比较,甚至于不同材料器件,例如硅MOSFET和碳化硅MOSFET在同一设计条件下损耗及效率的直观对比,对理解每个型号的特性有直观的意义。
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IPOWERSIM对所有人都永久免费使用


还等什么呢?现在打开WWW.IPOWERSIM.COM网站,或者扫描如下二维码,注册登录后进行仿真使用吧。
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